“十五五”規劃開局之年，富加鎵業再次迎來歷史性突破！

　　3月26日，富加鎵業宣布在國際上首 次成功制備出12英寸氧化鎵（Ga?O?）單晶，這是繼2025年12月成功制備8英寸氧化鎵晶體后，再次取得的重大技術突破。這一突破不僅刷 新了全 球氧化鎵單晶尺寸的最 高紀錄，更標志著我國在第 四代半導體核心材料產業化進程中邁出了決定性一步，而富加鎵業也成為國 際上首 家掌握12英寸氧化鎵單晶生長技術的企業。

富加鎵業12英寸氧化鎵單晶（直徑305mm）

　　氧化鎵是第 四代半導體領 域代表性材料，因其卓 越的耐高壓、低損耗、抗輻照等特性，在數據中心、新能源、6G通信、可控核聚變、智能電網、軌道交通、航空航天等領 域具有廣闊的應用前景。

　　國家“十五五”規劃綱要明確提出要“推動氧化鎵、金剛石等超寬禁帶半導體產業化發展”。此次富加鎵業12英寸氧化鎵單晶制備技術的突破，正是對國家戰略的有力回應，為我國發展"新質生產力"、搶占未來產業競爭制高點提供了堅實的材料基礎，為全 球半導體產業發展注入了強勁的“中國動力”。

　　晶圓尺寸是衡量半導體技術先進性和成本效益的核心指標。從8英寸到12英寸，并非簡單的尺寸放大，而是一次產業層面的戰略性飛躍。12英寸晶圓意味著單片晶圓可制造的芯片數量倍增，能夠大幅攤薄生產成本，為氧化鎵器件的大規模市場應用掃清了關鍵的成本障礙；也意味著未來氧化鎵功率器件的制造可無縫導入現有成熟的12英寸硅基集成電路產線，極 大地降低了下游廠商的設備投資和產線切換成本，從而能夠以前所未有的速度推動產業化進程。

　　下一步富加鎵業將與下游用戶一起開展“襯底-外延-器件-模組”全鏈條協同攻關，助力我國高 性能氧化鎵功率器件的全產業鏈貫通，加速氧化鎵高壓大功率電力電子器件產業的快速落地，早日實現“讓世界用上好材料”的愿景。

　　產品介紹

　　氧化鎵設備：

　　公司研制了國 際上首 臺具備“一鍵長晶”功能的EFG設備，可以滿足2-6英寸晶體生長需求，目前獲得國內授權專利6項，國際授權專利4項，可提供設備及配套工藝包。公司自行研制了全自動 VB 晶體生長設備，并在國內率 先突 破了6英寸單晶生長技術瓶頸，實現了大尺寸 VB 法單晶制備。目前獲得國內授權專利6項，國際授權專利4項，可根據客戶需求提供VB設備及工藝包。

　　氧化鎵單晶襯底：

　　作為中國最 早投身氧化鎵單晶生長研究的先 行者與業 界領 先的供應商，我們致力于為全 球客戶提供卓 越的氧化鎵單晶襯底。我們的產品線覆蓋2-6英寸26種常規性氧化鎵襯底產品，并能夠提供尺寸，電學性能與晶向的定制化方案，滿足高質量外延片研發及批量制備需求。

　　氧化鎵外延片：

　　基于成熟的 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）與 MBE（分子束外延）技術平臺，我們的產品線覆蓋 2-6 英寸等15種常規性氧化鎵外延片產品，及定制化 MBE 氧化鎵外延片產品，為客戶提供 “襯底-外延”一體化解決方案。外延層生長過程采用精準的工藝控制體系，可根據客戶需求定 制外延層厚度、摻雜濃度、組分均勻性等關鍵參數，能夠滿足不同功率等級、不同功能類型的器件研發與生產需求。

　　企業簡介

　　杭州富加鎵業科技有限公司

　　公司成立于2019年12月31日，公司以“讓世 界用上好材料”為愿景，開展超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產業化工作，核心產品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及導模法(EFG法)晶體生長裝備等，為材料研制提供系統性解決方案，加速超寬禁帶氧化鎵產業全鏈路貫通，推進氧化鎵材料在功率器件、微波射頻器件及光電探測等領 域應用。公司在氧化鎵領 域發展方面取得的系列重要成果已獲CCTV1、CCTV2、《人民日報》、新華網、《中國證券報》、澎湃新聞等知 名媒體專題宣傳報道。企業榮譽匯總： 2022年獲得浙江省科技型中小企業；2023年獲得國家高新技術企業；2024年獲得杭州市企業高新技術研發中心及浙江省專 精特新中小企業；2025年獲得 ISO9001質量體系認證（編號：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雛鷹”企業；在氧化鎵領 域，正牽頭起草氧化鎵領 域首 個國家標準，并承擔了國家發改委項目1項，國家工信部項目1項，參與了國家自然科學基金委、浙江省、上海市等國家及省 部級項目3項。另外，獲得國際專利授權14項（美國 6 項，日本7項，歐洲1項），國內專利授權42項，“富加鎵業”商標認證注冊3項，軟件著作權（“一鍵長晶”控制軟件）5項。

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